安森美推出碳化硅技术平台EliteSiCM3eMOSFET加速碳化硅创新

盖世汽车讯 面对不断升级的气候危机和全球能源需求的急剧上升，各国政府和各行业正致力于实现雄心勃勃的气候目标，旨在减轻环境影响并确保可持续的未来。这些努力的关键是向电气化过渡，以减少碳排放并拥抱可再生能源。7月18日，为了加速这一全球转型，智能电源和智能感知技术公司安森美推出其最新一代碳化硅技术平台EliteSiC M3e MOSFET，这是迈向这一全球转型的重要一步。该公司还透露计划在2030年前推出多代产品。

安森美电源解决方案集团总裁Simon Keeton表示:“电气化的未来取决于先进的功率半导体。如果没有重大的电力创新，当今的基础设施就无法满足世界对更多智能和电气化出行的需求。这对于实现全球电气化和阻止气候变化的能力至关重要。我们正在引领创新步伐，计划到2030年大幅提高碳化硅技术路线图中的功率密度，以满足日益增长的能源需求并实现全球向电气化的过渡。”

EliteSiC M3e MOSFET将在以更低的每千瓦成本实现下一代电气系统的性能和可靠性方面发挥重要作用，从而影响电气化计划的采用和有效性。该平台能够在更高的开关频率和电压下运行，同时最大限度地减少功率转换损耗，对于电动汽车动力系统、直流快速充电器、太阳能逆变器和储能解决方案等各种汽车和工业应用至关重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET将推动向更高效、更高功率的数据中心的过渡，以满足为可持续人工智能引擎提供动力的指数级增长的能源需求。